Samsung เริ่มส่งมอบชิปหน่วยความจำ HBM4E 12 เลเยอร์ ให้ลูกค้าทดสอบแล้ว เป็นรายแรกในอุตสาหกรรม
Body
ซัมซุงประกาศว่าเริ่มส่งมอบชิปหน่วยความจำขั้นสูง HBM4E แบบ 12 เลเยอร์ ให้กับลูกค้าเพื่อนำไปทดสอบแล้ว ซึ่งระบุว่าเป็นรายแรกในอุตสาหกรรม หลังจากเริ่มจัดส่ง HBM4 แบบจำนวนมากให้ลูกค้าเมื่อต้นปี
ชิป HBM4E ของซัมซุงรองรับการส่งข้อมูลที่ระดับ 14 Gbps และปรับให้สูงสุดได้ถึง 16 Gbps เพิ่มขึ้นมากกว่า 20% จากชิป HBM4 แบนด์วิธหน่วยความจำต่อสแต็กอยู่ที่ 3.6 TB/s ความจุ 48GB และเตรียมขยายตัวเลือกให้ครอบคลุมทั้งแบบ 8 เลเยอร์ 32GB และ 16 เลเยอร์ 64GB ส่วนประสิทธิภาพการจัดการพลังทำได้ดีขึ้น 16%
HBM4E ใช้กระบวนการผลิตแบบรุ่น 6 ขนาด 10 นาโนเมตร มีฐานเป็นชิปลอจิกเทคโนโลยี 4 นาโนเมตร
ที่มา: ซัมซุง
arjin Sat, 30/05/2026 - 14:27
Continue reading...
Body
ซัมซุงประกาศว่าเริ่มส่งมอบชิปหน่วยความจำขั้นสูง HBM4E แบบ 12 เลเยอร์ ให้กับลูกค้าเพื่อนำไปทดสอบแล้ว ซึ่งระบุว่าเป็นรายแรกในอุตสาหกรรม หลังจากเริ่มจัดส่ง HBM4 แบบจำนวนมากให้ลูกค้าเมื่อต้นปี
ชิป HBM4E ของซัมซุงรองรับการส่งข้อมูลที่ระดับ 14 Gbps และปรับให้สูงสุดได้ถึง 16 Gbps เพิ่มขึ้นมากกว่า 20% จากชิป HBM4 แบนด์วิธหน่วยความจำต่อสแต็กอยู่ที่ 3.6 TB/s ความจุ 48GB และเตรียมขยายตัวเลือกให้ครอบคลุมทั้งแบบ 8 เลเยอร์ 32GB และ 16 เลเยอร์ 64GB ส่วนประสิทธิภาพการจัดการพลังทำได้ดีขึ้น 16%
HBM4E ใช้กระบวนการผลิตแบบรุ่น 6 ขนาด 10 นาโนเมตร มีฐานเป็นชิปลอจิกเทคโนโลยี 4 นาโนเมตร
ที่มา: ซัมซุง
arjin Sat, 30/05/2026 - 14:27
Continue reading...