ซัมซุงประกาศเริ่มเดินสายการผลิตหลัก V-NAND 9th Gen ขนาด 1Tb (Terabit) สถาปัตยกรรมสามระดับ Triple-level cell (TLC) เพื่อรองรับผลิตภัณฑ์ที่ต้องการประสิทธิภาพและพื้นที่หน่วยความจำที่มากขึ้น โดยเฉพาะในยุค AI
V-NAND 9th Gen ได้เพิ่มความหนาแน่นของการเรียงชิปมากกว่าเดิม จำนวนพื้นที่แต่ละบิตลดลง 50% เทียบกับ 8th Gen มีจำนวนเซลล์เลเยอร์เพิ่มมากขึ้น ความเร็วในการรับส่งข้อมูลเพิ่มขึ้น 33% เป็น 3.2 Gbps รองรับมาตรฐาน PCIe 5.0 การใช้พลังงานลดลง 10%
V-NAND 9th Gen เริ่มการผลิตในเดือนนี้ ส่วนเทคโนโลยีขั้นถัดไปที่เป็นสี่ระดับ Quad-level cell (QLC) คาดว่าจะเริ่มการผลิตได้ในครึ่งหลังของปีนี้
ที่มา: ซัมซุง
Topics:
Samsung
NAND
อ่านต่อ...
V-NAND 9th Gen ได้เพิ่มความหนาแน่นของการเรียงชิปมากกว่าเดิม จำนวนพื้นที่แต่ละบิตลดลง 50% เทียบกับ 8th Gen มีจำนวนเซลล์เลเยอร์เพิ่มมากขึ้น ความเร็วในการรับส่งข้อมูลเพิ่มขึ้น 33% เป็น 3.2 Gbps รองรับมาตรฐาน PCIe 5.0 การใช้พลังงานลดลง 10%
V-NAND 9th Gen เริ่มการผลิตในเดือนนี้ ส่วนเทคโนโลยีขั้นถัดไปที่เป็นสี่ระดับ Quad-level cell (QLC) คาดว่าจะเริ่มการผลิตได้ในครึ่งหลังของปีนี้
ที่มา: ซัมซุง
Topics:
Samsung
NAND
อ่านต่อ...